ElarTSATU
Електронний Інституційний репозитарій Таврійського державного агротехнологічного університету імені Дмитра Моторного.
Ласкаво просимо на сайт Інституційного репозитария Таврійського державного агротехнологічного університету імені Дмитра Моторного!
Наш електронний архів накопичує, зберігає і надає вільний, довгостроковий доступ до електронних версій наукових публікацій,
науково-методичних і навчальних матеріалів, створених науковцями, аспірантами та студентами ТДАТУ.
Надсилайте Ваші матеріали на е-mail: lib.nauka@tsatu.edu.ua
Положення про репозитарій ТДАТУ
Вимоги щодо розміщення матеріалів у репозитарії ТДАТУ
ISSN: 2524-0714
Фонди
Виберіть фонд, щоб переглянути його зібрання.
Нові надходження
Item type:Документ, Access status: Open Access , Методичні вказівки до проведення виробничої (переддипломної) практики здобувачів ступеня вищої освіти «Магістр» зі спеціальності D5 «Маркетинг» за ОПП «Маркетинг» (на основі ОС «Бакалавр»)(Запоріжжя : ТДАТУ, 2025) Венгерова, Олена ВасилівнаМетодичні вказівки містять інформацію щодо організації та проведення виробничої (переддипломної) практики здобувачів другого рівня вищої освіти, вимоги до складання та оформлення звіту з практики, порядок подання та захисту звіту з практики.Item type:Документ, Access status: Open Access , Experimental Analysis and Computational Modeling of Residual Stress in β-Ga₂O₃ Thin Films Grown on Si by RF Magnetron Sputtering(Acta Physica Polonica A, 2025) Revenko, Andrey; Kidalov, Valerii; Duleba, Dominik; Derhachov, Mihailo; Redko, Roman; Johnson, Robert; Assmann, Marc; Gudymenko, Oleksandr; Sushko, Oleksii; Koptiev, Mihailo; Кідалов, Валерій ВіталійовичGallium oxide is becoming increasingly attractive as a next-generation material for semiconductor appli cations, prompting the need for e cient and economical techniques for thin- lm fabrication, especially on non-native substrates. In this work, β-Ga2O3 lms with a thickness of 0.25 µm were grown on a silicon substrate via radio-frequency magnetron sputtering. Raman spectroscopy and X-ray di rac tion analysis con rmed the good crystalline quality of the synthesized β-Ga2O3 lms. The mechanical stresses in the β-Ga2O3/Si heterostructure were measured using X-ray di raction. A comparative anal ysis with simulated data obtained via nite element modeling demonstrated good correlation between experiment and theory.Item type:Документ, Access status: Open Access , Study of the influence of doping and layer thickness on the efficiency of ZnO/porous-Si/Si photoconverters(E3S Web of Conferences, 2025) Nosan, Serhii; Dyadenchuk, Alena; Носань, Сергій Вікторович; Дяденчук, Альона ФедорівнаThe article investigates the effect of doping and layer thickness on the efficiency of solar cells based on the ZnO/porous-Si/Si heterojunction using PC1D simulation. The results show that optimizing the ZnO and porous-Si layers' thickness significantly affects the solar cell's performance. The maximum current value was achieved at a ZnO thickness of 10 μm and porous-Si of 1 μm. In comparison, with an increase in the thickness to 15 μm, the material approaches the bulk, which reduces the efficiency due to increased carrier recombination. A significant effect of the doping concentration of the ZnO film was found. When the doping concentration increased to 1019 cm⁻³, the highest efficiency was achieved – 22.6%. However, excessive doping causes increased carrier recombination, which leads to a decrease in cell performance.Item type:Документ, Access status: Open Access , Modeling of photoconverter parameters based on CdS/porous-CdTe/CdTe heterostructure(Informatyka, Automatyka, Pomiary W Gospodarce I Ochronie Środowiska, 2025) Dyadenchuk, Alona; Oleksenko, Roman; Дяденчук, Альона ФедорівнаThis article presents a comprehensive study of the fabrication and modeling of a CdS/porous-CdTe/CdTe heterostructure aimed at improving solar cell efficiency. The research focuses on two critical processes: the electrochemical etching for producing porous-CdTe substrates and the chemical surface deposition method for applying CdS films. The structural and optical characteristics of the fabricated heterostructure were analyzed using SEM and EDAX methods, confirming the formation of a continuous CdS layer over a porous-CdTe layer. The thickness of the porous-CdTe and CdS layers was 1.0 and 2.0 μm, respectively. The obtained thick values of the manufactured structure were used to model the CdS/porous-CdTe/CdTe heterostructure in the PC1D-program in order to find the optimal solar cell parameters. The photoconverter current-voltage curve was obtained from the PC1D-program. The theoretically calculated efficiency was 21.6%. The study further explored the impact of varying the thickness of the CdS window layer and the porous CdTe buffer layer on photoconverter performance. The efficiency of the CdS/porous-CdTe/CdTe photoconverter reaches maximum values at a thickness of 2.3-2.4 μm and 1.9 μm for CdS and porous-CdTe layers, respectively. Additionally, the buffer layer's porosity enhanced light absorption, contributing to higher carrier generation rates. In order to increase the CdS/porous-CdTe/CdTe photoconverter efficiency, the single-layer and double-layer antireflective coatings used, which are most often in the CdS/CdTe solar cells production, was investigated. To further optimize the photoconverter, anti reflective coatings were investigated using the matrix method. The results showed that the best reflectance is observed for the ITO/ZnO double anti reflective coating. The solar cell efficiency with this coating was 22.8% at 50/30 nm thicknesses. Additional research in the modifying the porosity of the substrates and its effect on the photoconverter characteristics may lead to the discovery of new opportunities increasing their efficiency and stability. The findings underscore the potential of CdS/porous-CdTe/CdTe heterostructures as efficient photovoltaic devices.Item type:Документ, Access status: Open Access , Structural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates(ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2025) Kidalov, Valerii; Derhachov, Mihailo; Revenko, Andrey; Gudymenko, Oleksandr; Redko, Roman; Sushko, Oleksii; Koptiev, Mihailo; Assmann, Marc; Johnson, Robert; Кідалов, Валерій Віталійович