Опис до патенту на корисну модель № 141350 "Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs"

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorРогозін, І. В.
dc.contributor.authorКідалов, В. В.
dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.contributor.authorДяденчук, Алена Федоровна
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona
dc.date.accessioned2020-05-21T07:15:27Z
dc.date.available2020-05-21T07:15:27Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractСпосіб виготовлення шарів на підкладках GaN включає попередню імплантацію підкладки GaAs іонами N+ з енергією 50-200 кеВ, дозою 1014-1015 см-2 та подальший відпал отриманих зразків у радикалах (атомах) азоту (метод радикало-променевої гетеруючої епітаксії) в інтервалі температур 770-970 Κ.uk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10737
dc.language.isoukuk
dc.publisherМіністерство розвитку економіки, торгівлі та сільського господарства Україниuk
dc.subjectметод радикало-променевої гетеруючої епітаксіїuk
dc.subjectвиготовлення шарівuk
dc.subjectенергіяuk
dc.subjectрадикалиuk
dc.titleОпис до патенту на корисну модель № 141350 "Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs"uk
dc.typeWorking Paperuk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2.1. Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs.pdf
Розмір:
193.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Патенти