Structural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates

dc.contributor.authorKidalov, Valerii
dc.contributor.authorDerhachov, Mihailo
dc.contributor.authorRevenko, Andrey
dc.contributor.authorGudymenko, Oleksandr
dc.contributor.authorRedko, Roman
dc.contributor.authorSushko, Oleksii
dc.contributor.authorKoptiev, Mihailo
dc.contributor.authorAssmann, Marc
dc.contributor.authorJohnson, Robert
dc.contributor.authorКідалов, Валерій Віталійович
dc.date.accessioned2026-08-24T15:07:53Z
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationStructural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates / V. V. Kidalov, M. P. Derhachov, A. S. Revenko, O. I. Gudymenko, R. A. Redko, O. O. Sushko, M. M. Koptiev, M. A. Assmann, R. P. Johnson. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2025. Vol. 14. DOI: 10.1149/2162-8777/adfb52.
dc.identifier.doi10.1149/2162-8777/adfb52
dc.identifier.urihttps://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/21424
dc.language.isoen
dc.publisherECS Journal of Solid State Science and Technology
dc.subjectgallium oxide
dc.subjectbeta-Ga2O3
dc.subjectsilicon carbide
dc.subjectSiC
dc.subjectporous silicon
dc.subjectheterostructures
dc.subjecthigh-frequency magnetron sputtering
dc.subjectHFMS
dc.subjectX-ray diffraction
dc.subjectXRD
dc.subjectscanning electron microscopy
dc.subjectSEM
dc.subjectmicro-Raman spectroscopy
dc.subjectmicroelectronics
dc.subjectoptoelectronics
dc.titleStructural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Kidalov V_2025_.pdf
Розмір:
11.79 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: