Structural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates

Файли

Kidalov V_2025_.pdf (11.79 MB)

Дата

Автори

Kidalov, Valerii

Derhachov, Mihailo

Revenko, Andrey

Gudymenko, Oleksandr

Sushko, Oleksii

Koptiev, Mihailo

Johnson, Robert

Кідалов, Валерій Віталійович

Видавець

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Ключові слова

gallium oxide, beta-Ga2O3, silicon carbide, SiC, porous silicon, heterostructures, high-frequency magnetron sputtering, HFMS, X-ray diffraction, XRD, scanning electron microscopy, SEM, micro-Raman spectroscopy, microelectronics, optoelectronics

Бібліографічний опис

Structural Properties and Raman Spectra of Micron-Thick β-Ga2O3 Films Deposited on SiC/Porous Si/Si Substrates / V. V. Kidalov, M. P. Derhachov, A. S. Revenko, O. I. Gudymenko, R. A. Redko, O. O. Sushko, M. M. Koptiev, M. A. Assmann, R. P. Johnson. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2025. Vol. 14. DOI: 10.1149/2162-8777/adfb52.

URI

https://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/21424

DOI

10.1149/2162-8777/adfb52

Зібрання

Кафедра Вища математика та фізика

Повна інформація про документ