Дослідження антивідбивного покриття на основі оксиду цинку для високоефективних кремнієвих сонячних елементів

dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.contributor.authorКарпиєнко, О. В.
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona
dc.date.accessioned2023-12-20T11:59:32Z
dc.date.available2023-12-20T11:59:32Z
dc.date.issued2023
dc.description.abstractUA: Ефективність фотоперетворювача сонячного елементу значною мірою залежить не лише від електричних, але й від оптичних властивостей структури. Так відбиття фотонів призводить до зменшення генерації електронно-діркової пари за рахунок високого показника заломлення напівпровідникових матеріалів. Щоб подолати цю проблему, використовується антивідбивні покриття, якими зазвичай виступають бінарні та потрійні оксиди та їх різні легуючі системи, такі як ZnO, CdO, SnO2, In2O3, Cu2O, Ga2O3, SrTiO3 тощо.uk
dc.identifier.citationДяденчук А. Ф., Карпиєнко О. В. Дослідження антивідбивного покриття на основі оксиду цинку для високоефективних кремнієвих сонячних елементів. Технічне забезпечення інноваційних технологій в агропромисловому комплексі : матеріали V Міжнар. наук.-практ. Інтернет-конференції, м. Запоріжжя, 01-24 листопада 2023 р. Запоріжжя : ТДАТУ, 2023. С. 303-306.uk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/17247
dc.language.isoukuk
dc.publisherЗапоріжжя : ТДАТУuk
dc.subjectсонячні батареїuk
dc.subjectпродуктивністьuk
dc.subjectкоефіцієнт відбиття для покриття ZnO/PSuk
dc.subjectодношарові покритті PS та ZnOuk
dc.titleДослідження антивідбивного покриття на основі оксиду цинку для високоефективних кремнієвих сонячних елементівuk
dc.typeArticleuk
local.identifier.udc621.383uk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
materialy-V_mnpk_2023._303-306.pdf
Розмір:
599.59 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: