Дослідження антивідбивного покриття на основі оксиду цинку для високоефективних кремнієвих сонячних елементів

Abstract

UA: Ефективність фотоперетворювача сонячного елементу значною мірою залежить не лише від електричних, але й від оптичних властивостей структури. Так відбиття фотонів призводить до зменшення генерації електронно-діркової пари за рахунок високого показника заломлення напівпровідникових матеріалів. Щоб подолати цю проблему, використовується антивідбивні покриття, якими зазвичай виступають бінарні та потрійні оксиди та їх різні легуючі системи, такі як ZnO, CdO, SnO2, In2O3, Cu2O, Ga2O3, SrTiO3 тощо.