Опис до патенту на корисну модель № 132888 "Спосіб лазерного відпалу напівпровідника"

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМорозов, Микола Вікторович
dc.contributor.authorМорозов, Николай Викторович
dc.contributor.authorMorozov, Mykola
dc.date.accessioned2020-05-27T06:23:11Z
dc.date.available2020-05-27T06:23:11Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractСпосіб лазерного відпалу напівпровідника, згідно з яким когерентне випромінювання лазера поділяють на два пучки, спрямовують під деяким кутом α один до одного на поверхню напівпровідника, створюють систему паралельних еквідистантних інтерференційних смуг та виконують відпал напівпровідника. При цьому обертають напівпровідник на кут π /2 навколо оптичної осі, яка нормальна до поверхні напівпровідника, повторюють лазерний відпал та отримують регулярну систему квантових точокuk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10829
dc.language.isoukuk
dc.publisherМіністерство економічного розвитку і торгівлі Україниuk
dc.subjectлазерний відпал напівпровідникаuk
dc.subjectтехнології отримання квантових точокuk
dc.subjectквантова наноелектронікаuk
dc.titleОпис до патенту на корисну модель № 132888 "Спосіб лазерного відпалу напівпровідника"uk
dc.typeOtheruk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
getdocument (2).pdf
Розмір:
243.22 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Патенти