Опис до патенту на корисну модель № 132888 "Спосіб лазерного відпалу напівпровідника"

Abstract

Спосіб лазерного відпалу напівпровідника, згідно з яким когерентне випромінювання лазера поділяють на два пучки, спрямовують під деяким кутом α один до одного на поверхню напівпровідника, створюють систему паралельних еквідистантних інтерференційних смуг та виконують відпал напівпровідника. При цьому обертають напівпровідник на кут π /2 навколо оптичної осі, яка нормальна до поверхні напівпровідника, повторюють лазерний відпал та отримують регулярну систему квантових точок