Опис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації"

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКідалов, В. В.
dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.contributor.authorДяденчук, Алена Федоровна
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona
dc.date.accessioned2020-03-31T14:51:24Z
dc.date.available2020-03-31T14:51:24Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractСпосіб отримання низькорозмірних структур GaN включає використання аміаку як джерела активного азоту. Як підкладки для вирощування GaN використовують поруваті зразки GaAs, відпал у потоці азоту відбувається при температурі 820-1020 K, час відпалу становить від 40 до 60 хв, робочий тиск у реакторі - 10-2-10-1 барuk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9988
dc.language.isoukuk
dc.publisherМіністерство економічного розвитку і торгівлі Україниuk
dc.subjectотримання низькорозмірних структур GaNuk
dc.subjectелектрохімічне травлення GaAsuk
dc.subjectвиготовлення сенсорівuk
dc.subjectефективниі джерела випромінюванняuk
dc.subjectвиробництво високопродуктивних сонячних батарейuk
dc.titleОпис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації"uk
dc.typeOtheruk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
getdocument (8).pdf
Розмір:
246.38 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Патенти