Опис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації"

Abstract

Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN включає використання аміаку як джерела активного азоту. Як підкладки для вирощування GaN використовують поруваті зразки GaAs, відпал у потоці азоту відбувається при температурі 820-1020 K, час відпалу становить від 40 до 60 хв, робочий тиск у реакторі - 10-2-10-1 бар