Поруваті напівпровідники в енергозберігаючих технологіях

dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.contributor.authorДяденчук, Алена Федоровна
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona
dc.contributor.authorКідалов, В. В.
dc.date.accessioned2020-05-26T07:00:39Z
dc.date.available2020-05-26T07:00:39Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractУ результаті обчислень отримали наступні значення ємності: у випадку з електродами поруватого GaAs значення ємності склало 300 мкФ; у випадку з електродами поруватий GaP – 43 мкФ. Проведені дослідження показують, що існує можливість використання як матеріалу електродів суперконденсаторів поруватих зразків GaAs і GaP.uk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10805
dc.language.isoukuk
dc.relation.ispartofseriesАктуальні проблеми сучасної енергетики: матеріали ІV-ї Всеукраїнської науково-практичної інтернет-конференції студентів, аспірантів і молодих вчених;(С. 164)
dc.subjectелектродиuk
dc.subjectпоруваті напівпровідникиuk
dc.subjectметод електрохімічного травленняuk
dc.titleПоруваті напівпровідники в енергозберігаючих технологіяхuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
3.5. Поруваті напівпровідники в енергозберігаючих технологіях.pdf
Розмір:
366.52 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: