Моделювання фотоелектричних параметрів напівпровідникових фотоелементів

dc.contributor.authorІванов, Віктор Сергійович
dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.date.accessioned2023-02-15T13:02:08Z
dc.date.available2023-02-15T13:02:08Z
dc.date.issued2022
dc.descriptionІванов В. С., Дяденчук А. Ф. Моделювання фотоелектричних параметрів напівпровідникових фотоелементів. Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології у виробництві та освіті : стан, досягнення, перспективи розвитку : матеріали Всеукраїнської наук.-практ. Інтернет-конференції (Черкаси, 14-20 березня 2022 р.). Черкаси : ЧНУ ім. Богдана Хмельницького, 2022. С. 89-91.uk
dc.description.abstractВиробництво багатошарових структур є складним процесом і вимагає наявності дорогого устаткування. При цьому властивості гетероструктур і технологія їх отримання все ще вимагатиме додаткових досліджень, перш ніж вона стане комерційно доступною. Глибше зрозуміти фізику функціонування напівпровідникових приладів дозволяє розв’язання задачі теоретичного опису переносу заряду в напівпровідникових структурах. Моделювання переносу заряду в структурах дозволяє електричні характеристики напівпровідникового приладу пов'язувати з його топологією і технологією виготовлення. З можливих моделей перенесення найчастіше у фізиці напівпровідникових приладів використовується дифузійно-дрейфова модель.uk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16444
dc.language.isoukuk
dc.publisherЧеркаси : 2022uk
dc.subjectмікроелектронікаuk
dc.subjectнапівпровідникові приладиuk
dc.subjectмоделюванняuk
dc.subjectсонячні елементиuk
dc.titleМоделювання фотоелектричних параметрів напівпровідникових фотоелементівuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
1_model_fep_ivanov.pdf
Розмір:
494.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: