Виготовлення гетероструктур для приладів оптоелектроніки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.contributor.authorДяденчук, Алена Федоровна
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona
dc.date.accessioned2020-05-26T06:47:37Z
dc.date.available2020-05-26T06:47:37Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractУ роботі наведено методику отримання плівок CdS на поруватому CdTe. Дані гетероструктури можуть знайти застосування при виготовленні тонкоплівкових сонячних елементів, які будуть перспективними для масштабного наземного застосування.uk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10804
dc.language.isoukuk
dc.relation.ispartofseriesНаука ІІІ тисячоліття: пошуки, проблеми, перспективи розвитку: ІІІ Міжнародна науково-практична інтернет-конференція (25-26 квітня 2019 р., м. Бердянськ);(С. 289-290)
dc.subjectнапівпровідникові гетероструктуриuk
dc.subjectоптоелектронікаuk
dc.subjectмікроелектронікаuk
dc.subjectтонкоплівкові сонячні елементиuk
dc.titleВиготовлення гетероструктур для приладів оптоелектронікиuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
3.4. Виготовлення гетероструктур для приладів оптоелектроніки.pdf
Розмір:
196.34 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра Вища математика та фізика