Моделювання характеристик сонячних елементів на основі пористого кремнію

Abstract

UA: У статті запропонована модель сонячних елементів на основі гетероструктури з поруватим буферним шаром кремнію. За допомогою програми PC1D розраховані світлові характеристики виготовленої структури (напруження холостого ходу VOC, щільність струму короткого замикання JSC, ефективність перетворення η), побудовані вольт-амперні характеристики. Отримані результати показують збільшення фотогальванічних характеристик сонячних елементів на основі поруватого Si. Встановлено, що ефективність перетворення сонячної енергії з використанням шарів поруватого кремнію зростає на ~10%. EN: The article proposes a model of solar cells based on a heterostructure with a porous buffer layer of silicon. Using the PC1D program, the light characteristics of the manufactured structure were calculated (no-load voltage VOC, short-circuit current density JSC, conversion efficiency η), the current-voltage characteristics were plotted. The obtained results show an increase in the photovoltaic characteristics of solar cells based on porous Si. It was established that the efficiency of solar energy conversion using porous silicon layers increases by ~10%.