Виготовлення напівпровідникових гетероструктур для подальшого їх використання в сонячній енергетиці

dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна
dc.contributor.authorДяденчук, Алена Федоровна
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona
dc.contributor.authorКідалов, В. В.
dc.date.accessioned2020-05-28T07:51:06Z
dc.date.available2020-05-28T07:51:06Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractТаким чином, у роботі розглянуто гетероструктури CdS/porous-Si/Si, ZnO/porous-ZnSe/ZnSe, ZnO:Al/porous-CdTe/CdTe.uk
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10858
dc.language.isoukuk
dc.relation.ispartofseriesЕкологічна безпека держави: ХІI Всеукраїнська науково-практична конференція молодих учених і студентів, присвячена пам’яті професора Я. І. Мовчана (19 квітня 2018 р.);С. 53
dc.subjectвиготовлення сонячних батарейuk
dc.subjectгетероструктурuk
dc.subjectнанотрубкиuk
dc.titleВиготовлення напівпровідникових гетероструктур для подальшого їх використання в сонячній енергетиціuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
3.5. Виготовлення напівпровідникових гетероструктур для подальшого їх використання в сонячній енергетиці.pdf
Розмір:
293.3 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: