Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9913| Title: | Фізико-технологічні засади отримання напівпровідникових гетероструктур із поруватим буферним шаром |
| Authors: | Дяденчук, Альона Федорівна Дяденчук, Алена Федоровна Diadenchuk, Alona |
| Keywords: | гетероструктури;монокристалічні напівпровідники |
| Issue Date: | 2019 |
| Series/Report no.: | Актуальні проблеми розвитку природничих та гуманітарних наук: збірник матеріалів міжнародної науково-практичної конференції молодих учених, студентів та аспірантів (м. Луцьк, 5 грудня 2019 року);(С. 138-139) |
| Abstract: | Класичні гетероструктури і гетероструктури з квантовими ямами і надґратками на основі монокристалічних напівпровідників застосовуються у багатьох напрямках сучасної електроніки, у тому числі і при виробництві приладів сонячної енергетики. Основна складність при виготовленні гетероструктур полягає у відмінності коефіцієнтів термічного розширення й неузгодженості параметрів ґраток підкладки та вирощеного на її поверхні напівпровідникового покриття. Дані структури зазвичай характеризуються значними механічними напруженнями, які негативним чином позначаються на структурній досконалості і викликають появу високої щільності дислокацій. |
| URI: | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9913 |
| Appears in Collections: | Кафедра Вища математика та фізика |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| збірник (2).pdf | 347.11 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Show full item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.