Розрахунок відображення поверхні гетероструктури Si3N4/Si.

Abstract

У сучасному світі використання різноманітних матеріалів у виробництві геліосистем вимагає ретельного аналізу їхніх властивостей, серед яких важливим параметром є відбивна здатність (відображення) [1]. Особливо це стосується гетероструктур, які складаються з різних матеріалів і можуть мати складну структуру. Одним з таких матеріалів є структура Si3N4/Si. Поєднання Si3N4 та Si дозволяє створювати ефективні напівпровідникові пристрої з високою електричною й оптичною продуктивністю, таке поєднання може підвищити механічну стійкість та довговічність напівпровідникових пристроїв. У цьому контексті важливо розрахувати та проаналізувати відбивну здатність гетероструктури Si3N4/Si з метою оптимізації її властивостей для різноманітних застосувань у сучасних технологіях.