Formation of ZnO films on SiC/porous Si/Si substrates.

Abstract

ENG : Reactive magnetron sputtering was used to obtain ZnO films on SiC/porous Si/Si substrates. The silicon carbide film on the surface of porous Si was obtained using chemical substitution of atoms. It has been shown that ZnO films grown at the partial oxygen pressure 0.6 Pa are characterized by a smoother and more uniform surface than coatings grown at the oxygen pressure 0.1 Pa. Being based on the analysis of Raman and photoluminescence spectra, it has been shown that the increase in partial pressure of oxygen leads to the increase in structural disorder of the ZnO crystal lattice, on the one hand, and at the same time to a decrease in the concentration of intrinsic defects, including ionized oxygen vacancies Oi, on the other hand/ \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\ UKR: Методом реактивного магнетронного напилення одержано плівки ZnO на підкладках SiC/пористий Si/Si. При цьому плівка карбіду кремнію на поверхні пористого Si була отримана методом хімічного заміщення атомів. Показано, що плівки ZnO, вирощені при парціальному тиску кисню 0.6 Па, характеризуються більш гладкою та однорідною поверхнею, ніж покриття, отримані при тиску кисню 0.1 Па. На підставі аналізу спек трів раманівського розсіяння світла та фотолюмінесценції показано, що збільшення парціального тиску кисню приводить до збільшення структурного розупорядкування кристалічної ґратки ZnO з одного боку, і в той же час до зменшення концентрації власних дефектів, у тому числі іонізованих кисневих вакансій Oi , з іншого боку.