Виготовлення сонячних фотоелементів на основі гетероструктур SіC/porous-Sі/Sі

Abstract

UA: У статті наведено опис методики виготовлення фотоелектричних перетворювачів на основі гетероструктури SiC/porous-Si/Si та дослідження її фотовольтаїчних параметрів. Експериментально встановлено, що використання буферного шару між карбідом кремнію і кремнієм дозволяють створювати фотоперетворювачі сонячних батарей, що володіють підвищеною ефективністю. Із використанням отриманих гетероструктур SiC/porous-Si/Sі створено фотоелектричні перетворювачі з початковою ефективністю 9,8% та 9,0% для SiC/porous-Si/Sі (100) та SiC/porous-Si/Sі (111) відповідно. EN: The article describes the method of manufacturing photovoltaic converters based on the SiC/porous-Si/Si heterostructure and the study of its photovoltaic parameters. It has been experimentally established that the use of a buffer layer between silicon carbide and silicon makes it possible to create solar cell photoconverters with increased efficiency. Photoelectric converters with an initial efficiency of 9.8% and 9.0% for SiC/porous-Si/Si (100) and SiC/porous-Si/Si (111) were created using the obtained SiC/porous-Si/Si/Si heterostructures.