Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16444| Title: | Моделювання фотоелектричних параметрів напівпровідникових фотоелементів |
| Authors: | Іванов, Віктор Сергійович Дяденчук, Альона Федорівна |
| Keywords: | мікроелектроніка;напівпровідникові прилади;моделювання;сонячні елементи |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Черкаси : 2022 |
| Abstract: | Виробництво багатошарових структур є складним процесом і вимагає наявності дорогого устаткування. При цьому властивості гетероструктур і технологія їх отримання все ще вимагатиме додаткових досліджень, перш ніж вона стане комерційно доступною. Глибше зрозуміти фізику функціонування напівпровідникових приладів дозволяє розв’язання задачі теоретичного опису переносу заряду в напівпровідникових структурах. Моделювання переносу заряду в структурах дозволяє електричні характеристики напівпровідникового приладу пов'язувати з його топологією і технологією виготовлення. З можливих моделей перенесення найчастіше у фізиці напівпровідникових приладів використовується дифузійно-дрейфова модель. |
| Description: | Іванов В. С., Дяденчук А. Ф. Моделювання фотоелектричних параметрів напівпровідникових фотоелементів. Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології у виробництві та освіті : стан, досягнення, перспективи розвитку : матеріали Всеукраїнської наук.-практ. Інтернет-конференції (Черкаси, 14-20 березня 2022 р.). Черкаси : ЧНУ ім. Богдана Хмельницького, 2022. С. 89-91. |
| URI: | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16444 |
| Appears in Collections: | Кафедра Вища математика та фізика |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1_model_fep_ivanov.pdf | 494.39 kB | Adobe PDF | View/Open |
Show full item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.