Моделювання фотоелектричних параметрів напівпровідникових фотоелементів

Abstract

Виробництво багатошарових структур є складним процесом і вимагає наявності дорогого устаткування. При цьому властивості гетероструктур і технологія їх отримання все ще вимагатиме додаткових досліджень, перш ніж вона стане комерційно доступною. Глибше зрозуміти фізику функціонування напівпровідникових приладів дозволяє розв’язання задачі теоретичного опису переносу заряду в напівпровідникових структурах. Моделювання переносу заряду в структурах дозволяє електричні характеристики напівпровідникового приладу пов'язувати з його топологією і технологією виготовлення. З можливих моделей перенесення найчастіше у фізиці напівпровідникових приладів використовується дифузійно-дрейфова модель.