Моделювання функціональних характеристик фотоелектричних перетворювачів на основі TiO2

Abstract

При підвищенні товщини шару TiO2 від 10 до 20 мкм сонячного елемента на основі гетероструктури TiO2/p-Si спостерігається незначне зменшення значення струму короткого замикання JSC від 2,12 до 1,79 мА/см2, а напруга холостого ходу VOC залишається практично незмінною для товщини шару d=(5–15) мкм, але зазнає значних змін при d=20 мкм, що найімовірніше пов’язано зі зміною характеристик гетеропереходу.