Вплив поверхневих оксидів на властивості гетероструктури

Abstract

Інтерес до напівпровідникових сполук групи А3В5 не вичерпується тільки об'ємними монокристалічними матеріалами, що пояснюється унікальними випромінювальними й електрооптичними характеристиками, високою фоточутливістю і потенційними можливостями зміни опору в широких межах. Для ряду практичних застосувань (сонячні батареї, лазери, світлодіоди тощо) потрібні гетероструктури на основі матеріалівцієї групи, які представляють інтерес для промисловості, що пов’язано з відносно низькою вартістю технологічних процесів одержання та широким спектром використання згаданих структур. Останнім часом все частіше розглядаються питання створення поруватих шарів у напівпровідникових матеріалах на основі бінарних сполук типу А3B5.