Прискорення режиму роботи оптрона шляхом активного пригнічення ефекту Міллера

Abstract

Під час проектування схем керування потужними електроприводами із застосуванням MOSFET або IGBT транзисторів у деяких випадках необхідно передбачити гальванічну розв’язку – для зв’язку кіл керування і силової частини, між якими є значна різниця потенціалів; захисту вимірювальних перетворювачів від завад; безконтактного керування потужними тиристорами, електромеханічними реле тощо. З цією метою застосовують оптрони, в яких, як правило, вихідне коло являє собою біполярний транзистор. Паразитна ємність, утворена p-n-переходом «колектор-база» такого транзистора під час перехідних процесів негативно впливає на швидкість перемикання – це явище також відомо як ефект Міллера. Найпоширенішим методом боротьби з ефектом Міллера є включення додаткового резистора, але головним недоліком такого рішення є наднизька швидкість перемикання. У пропонованому матеріалі розглянуто варіанти вирішення цієї проблеми з можливістю роботи на високих частотах.