Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10855
Title: | Отримання плівок ZnO на макропоруватому Si (100) методом реактивного магнетронного розпилення |
Authors: | Кідалов, В. В. Дяденчук, Альона Федорівна Дяденчук, Алена Федоровна Diadenchuk, Alona Батурин, В. А. Рогозін, І. В. Бачеріков, Ю.Ю. Жук, А. Г. Філоненко, М. М. Карпенко, О. Ю. Кідалов, В. В. |
Keywords: | реактивне магнетронне розпилення;плівка ZnO;макропоруватий Si;reactive magnetron sputter;ZnO film;macroporous Si |
Issue Date: | 2018 |
Publisher: | ЗДІА |
Series/Report no.: | Елементи, прилади та системи електронної техніки (ЕПСЕТ-18): матеріали першої Міжнародної науково-практичної конференції;С. 23-25 |
Abstract: | UK: У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають полікристалічну природу з гексагональною решіткою типу вюрцит. Середні розміри кристалітів склали 12 нм. Мікроелементний аналіз виявив практично ідеальну стехіометричність ZnO вирощеного на porous-Si/Si. EN: In the present work, ZnO films on (100) silicon substrates with a pre-applied system of macropores were obtained by the method of reactive magnetron HF sputtering. X-ray studies of ZnO have shown that it has a polycrystalline nature with a hexagonal wurzite-type lattice. The average crystallite size was 12 nm. Trace element analysis revealed almost perfect stoichiometric ZnO grown on porous-Si/Si. |
URI: | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10855 |
Appears in Collections: | Кафедра Вища математика та фізика |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
3.3. Отримання плівок ZnO на макропоруватому Si (100) методом реактивного магнетронного розпилення.pdf | 657.06 kB | Adobe PDF | View/Open |
Show full item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.