Пленки ZnO полученные на мезо- и макропористых подложках Si методом магнетронного напыления

Abstract

Одними из самых перспективных пленочных покрытий являются прозрачные проводящие оксидные покрытия, среди которых особое место занимает оксид цинка. Повышенный интерес вызван уникальной комбинацией оптических и электрофизических свойств оксида цинка. Оксид цинка (ZnO) имеет широкое технологическое применение, в частности, в фотоприемниках, коротковолновых полупроводниковых диодных излучателей (светоизлучающих диодах), тонкопленочных солнечных элементах, сенсорах газа, фотодетекторах и др. [1-2]. На данный момент остается актуальным вопрос о получении пленок оксида цинка с заданными функциональными характеристиками, способных найти широкое промышленное применение устройств на основе слоев ZnO.