Низкоразмерные нанокомпозитные структуры в приборах электроники

Abstract

Классические гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками и нанотрубками применяются при изготовлении приборов силовой, опто-, нано- и СВЧ-электроники, что связано с различиями их свойств и свойств объемных полупроводников [1]. Для формирования качественных полупроводниковых структур с заданными свойствами необходимо установить связь их морфологии и состава с условиями синтеза. Поэтому важное значение приобретает вопрос технологии получения высококачественных полупроводниковых гетероструктур, содержащих низкоразмерные квантовые объекты.