Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10737| Title: | Опис до патенту на корисну модель № 141350 "Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs" |
| Authors: | Рогозін, І. В. Кідалов, В. В. Дяденчук, Альона Федорівна Дяденчук, Алена Федоровна Diadenchuk, Alona |
| Keywords: | метод радикало-променевої гетеруючої епітаксії;виготовлення шарів;енергія;радикали |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Міністерство розвитку економіки, торгівлі та сільського господарства України |
| Abstract: | Спосіб виготовлення шарів на підкладках GaN включає попередню імплантацію підкладки GaAs іонами N+ з енергією 50-200 кеВ, дозою 1014-1015 см-2 та подальший відпал отриманих зразків у радикалах (атомах) азоту (метод радикало-променевої гетеруючої епітаксії) в інтервалі температур 770-970 Κ. |
| URI: | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10737 |
| Appears in Collections: | Патенти |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2.1. Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs.pdf | 193.03 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Show full item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.