Опис до патенту на корисну модель № 141350 "Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs"
Вантажиться...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
ORCID
Видавець
Міністерство розвитку економіки, торгівлі та сільського господарства України
Анотація
Спосіб виготовлення шарів на підкладках GaN включає попередню імплантацію підкладки GaAs іонами N+ з енергією 50-200 кеВ, дозою 1014-1015 см-2 та подальший відпал отриманих зразків у радикалах (атомах) азоту (метод радикало-променевої гетеруючої епітаксії) в інтервалі температур 770-970 Κ.