Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9988| Title: | Опис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації" |
| Authors: | Кідалов, В. В. Дяденчук, Альона Федорівна Дяденчук, Алена Федоровна Diadenchuk, Alona |
| Keywords: | отримання низькорозмірних структур GaN;електрохімічне травлення GaAs;виготовлення сенсорів;ефективниі джерела випромінювання;виробництво високопродуктивних сонячних батарей |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | Міністерство економічного розвитку і торгівлі України |
| Abstract: | Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN включає використання аміаку як джерела активного азоту. Як підкладки для вирощування GaN використовують поруваті зразки GaAs, відпал у потоці азоту відбувається при температурі 820-1020 K, час відпалу становить від 40 до 60 хв, робочий тиск у реакторі - 10-2-10-1 бар |
| URI: | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9988 |
| Appears in Collections: | Патенти |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| getdocument (8).pdf | 246.38 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Show full item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.