Опис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації"

Кідалов, В. В.; Дяденчук, Альона Федорівна; Дяденчук, Алена Федоровна; Diadenchuk, Alona

ISSN: 2524-0714

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9988

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Кідалов, В. В.	-
dc.contributor.author	Дяденчук, Альона Федорівна	-
dc.contributor.author	Дяденчук, Алена Федоровна	-
dc.contributor.author	Diadenchuk, Alona	-
dc.date.accessioned	2020-03-31T14:51:24Z	-
dc.date.available	2020-03-31T14:51:24Z	-
dc.date.issued	2019	-
dc.identifier.uri	http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9988	-
dc.description.abstract	Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN включає використання аміаку як джерела активного азоту. Як підкладки для вирощування GaN використовують поруваті зразки GaAs, відпал у потоці азоту відбувається при температурі 820-1020 K, час відпалу становить від 40 до 60 хв, робочий тиск у реакторі - 10-2-10-1 бар	uk
dc.language.iso	uk	uk
dc.publisher	Міністерство економічного розвитку і торгівлі України	uk
dc.subject	отримання низькорозмірних структур GaN	uk
dc.subject	електрохімічне травлення GaAs	uk
dc.subject	виготовлення сенсорів	uk
dc.subject	ефективниі джерела випромінювання	uk
dc.subject	виробництво високопродуктивних сонячних батарей	uk
dc.title	Опис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації"	uk
dc.type	Other	uk
Appears in Collections:	Патенти

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
getdocument (8).pdf		246.38 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record CORE Recommender ???jsp.display-item.check???