ZnO/SiC/Porous-Si/Si Heterostructure: Obtaining and Properties.

Abstract

ENG :The content of this work demonstrates the zinc-oxide (ZnO) films’ synthesis by means of the HF magnetron sputtering of a zinc target on a silicon sub strate using the buffer layers of SiC and porous Si. The synthesis is con sisted of three stages: obtaining a mesoporous Si(111) surface by electro chemical etching, SiC films’ deposition on porous silicon substrates by the substitution method, and ZnO films’ synthesis using the high-frequency magnetron sputtering. The zinc-oxide film thickness is of  1 m. A micro scopic cross-section image of the ZnO film demonstrates its columnar mi crostructure. The films are in the form of tightly packed (agglomerated) nanograins (of 100–150 nm in size). According to the XRD-measurement results, the ZnO films are oriented along the main texture direction [0001]. The study of the formed-structure surface properties indicates the polycrys talline nature of the coating with a hexagonal lattice of wurtzite type. The coherence-area length determined by the Scherrer formula is of 11.8 nm.////////////////////////////UKR : У роботі продемонстровано синтезу плівок оксиду Цинку ZnO методом ВЧ-магнетронного розпорошення цинкової мішені на кремнійовій підк ладинці з використанням буферних шарів SiC та поруватого Si. Синтеза складалася з трьох етапів: одержання мезопоруватої поверхні Si(111) електрохемічним щавленням, нанесення плівок SiC на поруваті йові підкладинки методом заміщення та синтези плівок ZnO за допомо гою високочастотного магнетронного напорошення. Товщина плівки ок сиду Цинку становила  1 мкм. Мікроскопічний розріз плівки ZnO де монструє її стовпчасту мікроструктуру. Плівки мають форму щільно па кованих (аґломерованих) нанозерен (розміром у 100–150 нм). За резуль татами рентґенофазових мірянь плівки ZnO орієнтовані уздовж основно го напрямку текстури [0001]. Вивчення властивостей поверхні утвореної структури свідчить про полікристалічний характер покриття з гексаго нальною ґратницею типу вюрциту. Довжина области когерентности, ви значена за Шерреровою формулою, становить 11,8 нм.