Tsatu logo
ISSN: 2524-0714

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/17273
Title: Моделювання фотоелектричних характеристик гетероперехідного сонячного елемента ZnO/porous-Si/Si
Other Titles: Simulation of the photoelectric characteristics of the ZnO/porous-Si/Si heterojunction solar cell
Authors: Дяденчук, Альона Федорівна
Філіпович, Є. В.
Diadenchuk, Alona
Filipovich, Ye.
Keywords: фотоперетворювач;поруватий кремній;комп’ютерне моделювання;плівка ZnO;photoconverter;porous silicon;computer simulation;ZnO film
Issue Date: 2023
Publisher: Запоріжжя : 2023
Citation: Дяденчук А. Ф., Філіпович Є. В. Моделювання фотоелектричних характеристик гетероперехідного сонячного елемента ZnO/porous-Si/Si. Праці Таврійського державного агротехнологічного університету : наукове фахове видання. Запоріжжя : ТДАТУ, 2023. Вип. 23, т. 2. С. 152-166.
Abstract: UA: Робота спрямована на дослідження перспективних для сонячної енергетики фоточутливих структур на основі поруватого Si та ZnO. Запропоновано схему пристрою моделі сонячної батареї на основі гетероструктур ZnO/porous-Si/Si. За допомогою програми PC1D були розраховані світлові характеристики виготовленої конструкції (напруга холостого ходу VOC, струм короткого замикання ISC, коефіцієнт заповнення FF і ККД η), а також побудовані вольт-амперні характеристики. Досліджено вплив товщини шарів porous-Si та ZnO, текстурування та рівня легування шару ZnO, а також вплив температури на продуктивність гетероперехідного сонячного елемента ZnO/porous-Si/Si з метою отримання пристрою з хорошою ефективністю перетворення. Встановлено, що ефективність перетворення енергії сонячної батареї ZnO/porous-Si/Si може досягати 23,9 %. EN: The work is aimed at researching photosensitive structures based on porous Si and ZnO promising for solar energy. A device scheme of a solar cell model based on ZnO/porous-Si/Si heterostructures is proposed. Using the PC1D program, the light characteristics of the manufactured structure were calculated (no-load voltage VOC, short-circuit current ISC, filling factor FF and efficiency η), as well as the current-voltage characteristics were constructed. The effect of the thickness of the porous-Si and ZnO layers, the texturing and doping level of the ZnO layer, as well as the effect of temperature on the performance of the ZnO/porous-Si/Si heterojunction solar cell were investigated in order to obtain a device with good conversion efficiency. It was established that for ZnO with a thickness of 2 μm and with a thickness of porous-Si of 500 μm, the highest efficiency of 22.5% can be obtained. An increase in the doping concentration in the ZnO layer leads to a decrease in the overall efficiency of the device due to a decrease in light transmission. The maximum value of the efficiency is reached at the donor doping concentration of ⁓1018 cm-3. The study of the texturing of the surface of the solar cell shows that the solar energy conversion efficiency reaches a maximum value of 22.7% at an angle of 85º due to the reduction of light reflection from the front surface and the capture of light in the solar cells. It was also found that increasing the temperature from 280 K to 340 K leads to a decrease in efficiency by 4.8%. The best efficiency value of 23.9% is achieved at 280 K.
URI: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/17273
ISSN: 2220-8674
DOI: 10.31388/2078-0877-2023-23-2-152-166
UDC: 538.975:621.383.5
Appears in Collections:Кафедра Вища математика та фізика

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pratsi_2023. v.23. _t.2_152-166.pdf1.5 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record ???jsp.display-item.check???


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.