Побудова розрахункової схеми транзисторного негатрону аналога лямбда-діода на польових транзисторах

Abstract

UA: Робота присвячена розробці схеми заміщення транзисторного негатрону – аналога лямбда-діода на комплементарних польових транзисторах в якості первинного перетворювача та її дослідження з метою отримання рівняння залежності струму стоку від напруги на затискачах аналога лямбда-діода в залежності від параметрів схеми заміщення. Лямбда-діод - це напівпровідниковий прилад, який складається з пари польових транзисторів, включених в певну схему і виконаних на одному кристалі. Лямбда-діод має функцію перемикання, що забезпечує його широке використання. Була побудована повна еквівалента схема заміщення негатрона аналога лямбда-діода, проаналізовано її параметри з огляду на типові параметри застосованих кремнієвих польових транзисторів, що дало змогу спростити схему, в якій канали та затвори польових транзисторів представлені диференціальними опорами на спрощеній еквівалентній аналоговій схемі лямбда-діода, а між електродні ємності не враховуються через їх малий розмір, що при подальшому дослідженні дозволили отримати рівняння вольт-амперної характеристики аналога лямбда-діода. Практичний інтерес має використання негатрона аналога лямбда-діода в якості вимірювального перетворювача будь-якої фізичної величини, для чого аналог лямбда-діода був застосований у мостовій схемі вимірювача температури: для чого у одній з діагоналей мостового вимірювача використовуються нелінійні елементи, опір яких залежить від температури. Отримано рівняння вольт-амперної характеристики з урахуванням параметрів мостового вимірювача, що дає змогу стверджувати про можливість використання аналогу лямбда-діода в якості вимірювального перетворювача. Область застосування аналога лямбда-діода широка. Авторами отримані патенти, в яких використовуються аналог лямбда-діода: пристрої для контролю температури, відхилення напруги в електричний мережі та несиметрії напруги. EN: The work is devoted to the development of a transistor negatron replacement circuit - a lambda diode analog on complementary field-effect transistors as a primary converter and its research in order to obtain an equation for the dependence of the drain current on the voltage on the clamps of a lambda diode analog depending on the parameters of the replacement circuit. A lambda diode is a semiconductor device that consists of a pair of field-effect transistors connected in a certain circuit and made on one crystal. The lambda diode has a switching function, which ensures its wide use. A full equivalent negatron analog lambda diode replacement circuit was built, its parameters were analyzed in view of the typical parameters of the applied silicon field- effect transistors, which made it possible to simplify the circuit in which the channels and gates of the field-effect transistors are represented by differential resistances on the simplified equivalent analog lambda-diode circuit. and the capacitors between the electrodes are not taken into account due to their small size, which during further research made it possible to obtain the equation of the current-voltage characteristic of the analog of the lambda diode. The use of a negatron analog of a lambda diode as a measuring converter of any physical quantity is of practical interest, for which the analog of a lambda diode was used in the bridge circuit of a temperature meter: for which nonlinear elements whose resistance depends on temperature are used in one of the diagonals of the bridge meter. The equation of the current-voltage characteristic was obtained taking into account the parameters of the bridge meter, which makes it possible to assert the possibility of using a lambda-diode analogue as a measuring converter. The field of application of the lambda-diode analogue is wide. The authors received patents that use an analogue of the lambda diode: devices for temperature control, voltage deviation in the electrical network and voltage asymmetry.