Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9913
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Дяденчук, Альона Федорівна | - |
dc.contributor.author | Дяденчук, Алена Федоровна | - |
dc.contributor.author | Diadenchuk, Alona | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-27T12:40:12Z | - |
dc.date.available | 2020-03-27T12:40:12Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.uri | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/9913 | - |
dc.description.abstract | Класичні гетероструктури і гетероструктури з квантовими ямами і надґратками на основі монокристалічних напівпровідників застосовуються у багатьох напрямках сучасної електроніки, у тому числі і при виробництві приладів сонячної енергетики. Основна складність при виготовленні гетероструктур полягає у відмінності коефіцієнтів термічного розширення й неузгодженості параметрів ґраток підкладки та вирощеного на її поверхні напівпровідникового покриття. Дані структури зазвичай характеризуються значними механічними напруженнями, які негативним чином позначаються на структурній досконалості і викликають появу високої щільності дислокацій. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.relation.ispartofseries | Актуальні проблеми розвитку природничих та гуманітарних наук: збірник матеріалів міжнародної науково-практичної конференції молодих учених, студентів та аспірантів (м. Луцьк, 5 грудня 2019 року);(С. 138-139) | - |
dc.subject | гетероструктури | uk |
dc.subject | монокристалічні напівпровідники | uk |
dc.title | Фізико-технологічні засади отримання напівпровідникових гетероструктур із поруватим буферним шаром | uk |
dc.type | Article | uk |
Appears in Collections: | Кафедра Вища математика та фізика |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
збірник (2).pdf | 347.11 kB | Adobe PDF | View/Open |
Show simple item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.