Формування плівок ZnO на підкладках SiC/porous-Si/Si

Abstract

UA: У статті наведено спосіб отримання плівок ZnO на підкладках SiC/porous-Si/Si методом реактивного магнетронного розпилення. Плівка карбіду кремнію на поверхні поруватого Si була отримана за допомогою методу хімічного заміщення атомів. Показано, що плівки ZnO, вирощені при парціальному тиску кисню 0,6 Па, характеризуються більш гладкою та рівномірною поверхнею, ніж покриття, вирощені при тиску кисню 0,1 Па. На основі аналізу спектрів КРС та фотолюмінесценції було показано, що збільшення парціального тиску кисню призводить до збільшення структурної невпорядкованості кристалічної решітки ZnO, з одного боку, і водночас до зменшення концентрації власних дефектів, у тому числі іонізованих кисневих вакансій Oi, з іншого боку. EN: The article describes the method of obtaining ZnO films on SiC/porous- Si/Si substrates by reactive magnetron sputtering. The film of silicon carbide on the surface of porous Si was obtained by chemical substitution of atoms. It is shown that ZnO films grown at an oxygen partial pressure of 0.6 Pa are characterized by a smoother and more uniform surface than coatings grown at an oxygen pressure of 0.1 Pa. Based on the analysis of Raman and photoluminescence spectra, it was shown that an increase in the partial pressure of oxygen leads to an increase in the structural disorder of the ZnO crystal lattice, on the one hand, and at the same time to a decrease in the concentration of intrinsic defects, including ionized oxygen vacancies Oi, on the other hand.