Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16992
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кідалов, Валерій Віталійович | - |
dc.contributor.author | Дяденчук, Альона Федорівна | - |
dc.date.accessioned | 2023-09-27T11:58:03Z | - |
dc.date.available | 2023-09-27T11:58:03Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.citation | Кідалов В. В., Дяденчук А. Ф. Виготовлення сонячних фотоелементів на основі гетероструктур SіC/porous-Sі/Sі. Розвиток сучасної науки та освіти : матеріали ІV Міжнародної наук.-практ. інтернет-конф. (Запоріжжя, 29-31 травня 2023 р.). Запоріжжя : ТДАТУ, 2023. С. 43-47. | uk |
dc.identifier.uri | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16992 | - |
dc.description.abstract | UA: У статті наведено опис методики виготовлення фотоелектричних перетворювачів на основі гетероструктури SiC/porous-Si/Si та дослідження її фотовольтаїчних параметрів. Експериментально встановлено, що використання буферного шару між карбідом кремнію і кремнієм дозволяють створювати фотоперетворювачі сонячних батарей, що володіють підвищеною ефективністю. Із використанням отриманих гетероструктур SiC/porous-Si/Sі створено фотоелектричні перетворювачі з початковою ефективністю 9,8% та 9,0% для SiC/porous-Si/Sі (100) та SiC/porous-Si/Sі (111) відповідно. EN: The article describes the method of manufacturing photovoltaic converters based on the SiC/porous-Si/Si heterostructure and the study of its photovoltaic parameters. It has been experimentally established that the use of a buffer layer between silicon carbide and silicon makes it possible to create solar cell photoconverters with increased efficiency. Photoelectric converters with an initial efficiency of 9.8% and 9.0% for SiC/porous-Si/Si (100) and SiC/porous-Si/Si (111) were created using the obtained SiC/porous-Si/Si/Si heterostructures. | uk |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | Запоріжжя : 2023 | uk |
dc.subject | плівка SiC | uk |
dc.subject | поруватий Si | uk |
dc.subject | електрохімічне травлення | uk |
dc.subject | метод заміщення атомів | uk |
dc.subject | фотоелектричний перетворювач | uk |
dc.subject | SiC film | uk |
dc.subject | porous Si | uk |
dc.subject | electrochemical etching | uk |
dc.subject | atom substitution method | uk |
dc.subject | photoelectric converter | uk |
dc.title | Виготовлення сонячних фотоелементів на основі гетероструктур SіC/porous-Sі/Sі | uk |
dc.type | Article | uk |
local.identifier.udc | 535.37; 621.315.592 | uk |
Appears in Collections: | Кафедра Вища математика та фізика |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
MATERIALS of the ІV International Scientific_ 2023_43-47.pdf | 666.86 kB | Adobe PDF | View/Open |
Show simple item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.