Tsatu logo
ISSN: 2524-0714

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16328
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorДяденчук, Альона Федорівна-
dc.contributor.advisorДяденчук, Алена Федоровна-
dc.contributor.advisorDiadenchuk, Alona-
dc.contributor.authorШквиря, В. В.-
dc.date.accessioned2022-02-17T12:30:33Z-
dc.date.available2022-02-17T12:30:33Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/16328-
dc.description.abstractПри підвищенні товщини шару TiO2 від 10 до 20 мкм сонячного елемента на основі гетероструктури TiO2/p-Si спостерігається незначне зменшення значення струму короткого замикання JSC від 2,12 до 1,79 мА/см2, а напруга холостого ходу VOC залишається практично незмінною для товщини шару d=(5–15) мкм, але зазнає значних змін при d=20 мкм, що найімовірніше пов’язано зі зміною характеристик гетеропереходу.uk
dc.language.isoukuk
dc.publisherТДАТУuk
dc.relation.ispartofseriesМатеріали ІХ Всеукраїнської науково-технічної конференції здобувачів вищої освіти ТДАТУ за підсумками наукових досліджень 2021 року. Факультет енергетики і комп’ютерних технологій (Мелітополь,10-25 листопада 2021 р.);С. 44-47-
dc.subjectджерело енергіїuk
dc.subjectсонячна енергіяuk
dc.subjectфотоелектричний перетворювачuk
dc.subjectкремнієві пристроїuk
dc.subjectоксиди металівuk
dc.titleМоделювання функціональних характеристик фотоелектричних перетворювачів на основі TiO2uk
dc.typeWorking Paperuk
Appears in Collections:Публікації студентів

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Тези факультет ЕКТ, секція ВМФ общий внесен-44-47.pdf459.8 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record ???jsp.display-item.check???


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.