Tsatu logo
ISSN: 2524-0714

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10805
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДяденчук, Альона Федорівна-
dc.contributor.authorДяденчук, Алена Федоровна-
dc.contributor.authorDiadenchuk, Alona-
dc.contributor.authorКідалов, В. В.-
dc.date.accessioned2020-05-26T07:00:39Z-
dc.date.available2020-05-26T07:00:39Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.urihttp://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10805-
dc.description.abstractУ результаті обчислень отримали наступні значення ємності: у випадку з електродами поруватого GaAs значення ємності склало 300 мкФ; у випадку з електродами поруватий GaP – 43 мкФ. Проведені дослідження показують, що існує можливість використання як матеріалу електродів суперконденсаторів поруватих зразків GaAs і GaP.uk
dc.language.isoukuk
dc.relation.ispartofseriesАктуальні проблеми сучасної енергетики: матеріали ІV-ї Всеукраїнської науково-практичної інтернет-конференції студентів, аспірантів і молодих вчених;(С. 164)-
dc.subjectелектродиuk
dc.subjectпоруваті напівпровідникиuk
dc.subjectметод електрохімічного травленняuk
dc.titleПоруваті напівпровідники в енергозберігаючих технологіяхuk
dc.typeArticleuk
Appears in Collections:Кафедра Вища математика та фізика

Show simple item record ???jsp.display-item.check???


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.