Властивості плівок ZnO, одержаних на мезопоруватих підкладинках Si методою магнетронного напорошення

Abstract

UK: У роботі методою реактивного магнетронного ВЧ-розпорошення одержано плівки ZnO на підкладинках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою мезопор. Рентґенографічні дослідження ZnO показали, що плівки мають полікристалічну природу з гексагональною ґратницею типу вюрциту. Середні розміри кристалітів склали близько 50–200 нм. Мікроелементна аналіза виявила практично ідеальну стехіометричність ZnO, вирощеного на porous-Si/Si. У плівках ZnO спостерігається ледь помітний пік у зеленій (500–530 нм) і більш виразний у жовто-помаранчевій (590–620 нм) областях спектру. EN: The processes of formation of zinc oxide by the method of reactive magnetron high-frequency sputtering on mesoporous substrates of silicon with orientation (100) and (111) are investigated. Porous silicon specimens are obtained by electrochemical etching using silicon plates of n-type orientation conductivity (100) with a specific resistance of 1.0–1.5 cm. The anodizing process is carried out using an electrolyte solution consisting of hydrofluoric acid (HF) and ethanol (C2H5OH) in a 1:1 ratio. The current density is J31.64 mA/cm2. The diameter of the substrate pores is of 15–20 nm. The ZnO film coating is performed by reactive magnetron high-frequency sputtering of the zinc target. Before the process of applying films, the vacuum system is pumped to a level of 10 3 Pa. The substrate temperature is of 300C. Spray time is 20 minutes. The surface and cross-sectional studies of ZnO/porous-Si/Si samples show a significant change in surface morphology after synthesis. The film has a columnar structure. The thin film of ZnO is closely tied to the porous silicon substrate, and the gap is not detected in the interface. If the Si(100) substrate is used, the diameter of the crystallites is of ≈ 200 nm, while using the substrate Si(111), it is not exceed 100 nm. As shown by x-ray studies of ZnO, it has a polycrystalline nature with a hexagonal wurtzite-type lattice. The deformation value of a ZnO film grown on porous silicon along the c-axis is calculated. The low value of compression strain (0.36%) shows that the ZnO film grows along the c-axis and indicates the fabrication of a high-quality crystal. The average crystallite size is of about 50– 200 nm. The micronutrient analysis reveals practically the ideal stoichiometry of ZnO grown on porous-Si/Si. ZnO films show a slight peak in the green (500–530 nm) and more pronounced in the yellow–orange (590–620 nm) regions of the spectrum. RU: В работе методом реактивного магнетронного ВЧ-распыления получены плёнки ZnO на подложках кремния ориентации (100) с предварительно нанесённой системой мезопор. Рентгенографические исследования ZnO показали, что плёнки имеют поликристаллическую природу с гексагональной решёткой типа вюрцита. Средние размеры кристаллитов составили около 50–200 нм. Микроэлементный анализ выявил практически идеальную стехиометричность ZnO, выращенного на porous-Si/Si. В плёнках ZnO наблюдается едва заметный пик в зелёной (500–530 нм) и более выразительный в жёлто-оранжевой (590–620 нм) областях спектра.