Опис до патенту на корисну модель № 141350 "Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs"

Рогозін, І. В.; Кідалов, В. В.; Дяденчук, Альона Федорівна; Дяденчук, Алена Федоровна; Diadenchuk, Alona

ISSN: 2524-0714

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10737

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Рогозін, І. В.	-
dc.contributor.author	Кідалов, В. В.	-
dc.contributor.author	Дяденчук, Альона Федорівна	-
dc.contributor.author	Дяденчук, Алена Федоровна	-
dc.contributor.author	Diadenchuk, Alona	-
dc.date.accessioned	2020-05-21T07:15:27Z	-
dc.date.available	2020-05-21T07:15:27Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.uri	http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/10737	-
dc.description.abstract	Спосіб виготовлення шарів на підкладках GaN включає попередню імплантацію підкладки GaAs іонами N+ з енергією 50-200 кеВ, дозою 1014-1015 см-2 та подальший відпал отриманих зразків у радикалах (атомах) азоту (метод радикало-променевої гетеруючої епітаксії) в інтервалі температур 770-970 Κ.	uk
dc.language.iso	uk	uk
dc.publisher	Міністерство розвитку економіки, торгівлі та сільського господарства України	uk
dc.subject	метод радикало-променевої гетеруючої епітаксії	uk
dc.subject	виготовлення шарів	uk
dc.subject	енергія	uk
dc.subject	радикали	uk
dc.title	Опис до патенту на корисну модель № 141350 "Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs"	uk
dc.type	Working Paper	uk
Appears in Collections:	Патенти

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
2.1. Спосіб виготовлення шарів GaN шляхом іонної імплантації підкладки GaAs.pdf		193.03 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record CORE Recommender ???jsp.display-item.check???