Експериментальне дослідження вольт-амперних характеристик аналога лямбда-діода на уніполярних транзисторах - Попова, Ірина Олексіївна; Попова, Ирина Алексеевна; Popova, Iryna; Курашкін, Сергій Федорович; Курашкин, Сергей Федорович; Kurashkin, Serhii; Попрядухін, Вадим Сергійович; Попрядухин, Вадим Сергеевич; Popriadukhin, Vadym (My University, 2018)
UK: Робота присвячена дослідженню характеристик та можливостей первинного перетворювача, виконаного на базі аналога лямбда-діоду, який використовується для контролю параметрів діагностування у пристроях захисту електрообладнання. Перевагою лямбда-діоду є можливість отримання вольт-амперної характеристики (ВАХ) з ділянкою негативного опору, недоліком є неможливість регулювати або збільшувати ширину його природню ВАХ, тому застосовують їх аналоги, побудовані за різними схемо-технічними принципами. В роботі розглядається аналог лямбда-діоду (АЛД), побудований на уніполярних транзисторах, що дає змогу змінювати ширину ділянки ВАХ з негативним опором. Цю властивість можна використовувати у схемах захисту. Задачею роботи є дослідження ВАХ АЛД різних комплементарних пар транзисторів та визначення параметрів і меж використання аналогу в якості перетворювача, для чого була складена принципова електрична схема і методика дослідження. За результатами досліджень природних ВАХ різних типів транзисторів визначено, що тип транзистору практично не впливає на параметри ВАХ. Також ВАХ АЛД не змінюється як при об’єднанні стоків польових транзисторів так і їх витоків. Була визначена залежність співвідношення опорів резистивного дільника напруги, прикладеної напруги і їх вплив на ширину ділянки ВАХ з негативним опором.RU: Работа посвящена исследованию характеристик и возможностей первичного преобразователя, выполненного на базе аналога лямбда-диода, который применяется для контроля параметров диагностирования в устройствах защиты электрооборудования. Преимуществом лямбда-диода является возможность получения ВАХ с участком отрицательного сопротивления, а недостатком – невозможность регулирования или увеличивать ширину его естественной ВАХ, поэтому применяются их аналоги, построенные на разных схемотехнических принципах. В работе рассматривается лямбда-диода на базе униполярных транзисторов, что дает возможность изменять ширину участка ВАХ с отрицательным сопротивлением. Это свойство можно использовать в схемах защиты. Задачей работы является исследование ВАХ АЛД разных комплементарных пар транзисторов и определение параметров и пределов использования аналога в качестве преобразователя, для чего была составлена принципиальная электрическая схема и методика исследования. По результатам исследований естественных ВАХ разных типов транзисторов определено, что тип транзистора практически не влияет на параметры ВАХ. Также ВАХ АЛД не изменяется как при объединении стоков полевых транзисторов, так и их истоков. Была определенна зависимость соотношения сопротивлений резистивного делителя напряжения, приложенного напряжения и их влияние на ширину участка ВАХ с отрицательным сопротивлением. EN: The scientific work is devoted to research the primary converter characteristics and capabilities, based on lambda-diode analogue which is used to monitoring diagnostic parameters in electrical equipment protection devices. The advantage of the lambda-diode is possibility to obtain volt-amps diagram with a negative-resistance section, and the disadvantage is impossibility to regulate or increase the width of its natural volt-amps diagram, so their analogs based on different circuitry principles are used. In this research were consider a lambda-diode analogue based on FET-transistor, which makes it possible to vary the width of the volt-amps diagram with negative resistance. This property can be used in protection circuits. The task is to research volt-amps diagram the different complementary transistors pairs of analogue have and to determine their parameters and limits to use as a primary converter. Electrical circuit and a test procedure were compiled as well. Based on researching results of different transistors types it is determined the type of transistor practically does not affect the parameters of the VA-diagram. The volt-amps diagram of analogue does not change when combining the drains or sources of FET-transistors. There was defined a relationship between resistance of voltage divider, the applied voltage and their influence on width the negative resistance section of VA-diagram.
Экспериментальное исследование вольт-амперных характеристик аналога лямбда-диода на униполярных транзисторах
The volt-amps diagram experimental research of lambda-diode analogue based on homopolar transistors
Keywords: аналог лямбда-діода; комплементарна пара; уніполярний транзистор; енергоекономічність; резистивний дільник напруги; ВАХ; аналог лямбда-диода; комплементарная пара; униполярный транзистор; энергоэкономичность; резистивный делитель напряжения; lambda-diode analogue; complementary pair; FET-transistors; energy economy; resistance voltage divider; volt-amps diagram