Опис до патенту на корисну модель № 133714 "Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN на поверхні поруватого GaAs методом нітридизації" - Кідалов, В. В.; Дяденчук, Альона Федорівна; Дяденчук, Алена Федоровна; Diadenchuk, Alona (Міністерство економічного розвитку і торгівлі України, 2019)
Спосіб отримання низькорозмірних структур GaN включає використання аміаку як джерела активного азоту. Як підкладки для вирощування GaN використовують поруваті зразки GaAs, відпал у потоці азоту відбувається при температурі 820-1020 K, час відпалу становить від 40 до 60 хв, робочий тиск у реакторі - 10-2-10-1 бар
Keywords: отримання низькорозмірних структур GaN; електрохімічне травлення GaAs; виготовлення сенсорів; ефективниі джерела випромінювання; виробництво високопродуктивних сонячних батарей