Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, А2В6 та А3В5): дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06

Abstract

UK: Дисертацію присвячено дослідженню фізико-технологічних умов вирощування низькорозмірних структур на поруватих поверхнях напівпровідників (Si, A2B6, A3B5) та вивченню їх властивостей для розширення уявлень про природу процесів у напівпровідникових гетероструктурах, що знайдуть широке застосування при виготовленні нових сучасних приладів опто- та мікроелектроніки, нанофотоніки тощо. Вперше отримано плівки SiC на макро- та мезопоруватій поверхні Si різної орієнтації методом хімічного заміщення атомів. Досліджено механізми росту плівок карбіду кремнію (SiC) методом заміщення атомів на мезо- і макропоруватих підкладках кремнію (Si) p- і n-типу провідності орієнтації (100). Розроблено технологію отримання плівок 3C-SiC на кремнієвих поруватих підкладках орієнтації (100) та (111). RU: Диссертация посвящена исследованию физико-технологических условий выращивания низкоразмерных структур на пористых поверхностях полупроводников (Si, A2B6, A3B5) и изучению их свойств для расширения представлений о природе процессов в полупроводниковых гетероструктурах, которые найдут широкое применение при изготовлении новых современных приборов опто- и микроэлектроники, нанофотоники и др. Впервые получены пленки SiC на макро- и мезопористой поверхностях Si различной ориентации методом химического замещения атомов. Исследованы механизмы роста пленок карбида кремния (SiC) методом замещения атомов на мезо- и макропористых подложках кремния (Si) p- и n-типа проводимости ориентации (100). Разработана технология получения пленок 3C-SiC на кремниевых пористых подложках ориентации (100) и (111). EN: The thesis is devoted to the study of the physic-technological conditions for growing low-dimensional structures on the porous surfaces of semiconductors (Si, A2B6, A3B5) and to study their properties for expanding the understanding of the nature of processes in semiconductor heterostructures, which will find wide application in the manufacture of new modern opto- and microelectronics devices, nanophotonics, etc. For the first time SiC films were obtained on the macro- and mesoporous surface Si of different orientation by the method of chemical substitution of atoms. The mechanisms of growth of films of silicon carbide (SiC) by the method of substituting atoms on meso- and macroporous substrates of orientation of silicon (Si) p- and n-type conductivity (100) are investigated. The technology of obtaining films of 3C-SiC films on silicon porous orientation substrates (100) and (111) was developed.