Please use this identifier to cite or link to this item:
http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/14655| Title: | Технологія одержання плівок ZnO на поверхні мезопоруватого кремнію |
| Authors: | Кідалов, Валерій Віталійович Кидалов, Валерий Витальевич Kidalov, Valerii Дяденчук, Альона Федорівна Дяденчук, Алена Федоровна Diadenchuk, Alona Батурін, В. А. Карпенко, O. Ю. Рогозін, І. В. Бачеріков, Ю. Ю. Жук, A. Г. |
| Keywords: | плівка ZnO;мезопоруватий Si;високочастотне магнетронне розпилення;ZnO film;mesoporous Si;high-frequency magnetron sputtering |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Мелітополь: ТДАТУ |
| Series/Report no.: | Розвиток сучасної науки та освіти: реалії, проблеми якості, інновації: матер. ІІ Міжнародної наук.-практ. інтернет-конф. (Мелітополь, 25-27 травня 2021 р.);С. 20-23 |
| Abstract: | UK: У даній роботі плівки ZnO отримані на мезопоруватих кремнієвих підкладках методом високочастотного магнетронного розпилення цинкової мішені в реакційній кисень-аргоновому газовому середовищі. Вивчено вплив поруватого шару на структурні властивості тонких плівок ZnO. Результати показали, що порувата кремнієва підкладка зменшує залишкові напруги і може бути використана для отримання якісних плівок ZnO. EN: In this work, ZnO films are obtained on mesoporous silicon substrates by high-frequency magnetron sputtering of zinc target in reactive oxygen-argon gas medium. The influence of the porous layer on the structural properties ZnO thin films has been studied. The results showed that the porous silicon substrate reduces residual stresses and can be used to obtain high-quality ZnO films. |
| URI: | http://elar.tsatu.edu.ua/handle/123456789/14655 |
| Appears in Collections: | Кафедра Вища математика та фізика |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Кідалов 20-23.pdf | 902.61 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Show full item record
CORE Recommender
???jsp.display-item.check???
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.